特許

J-GLOBAL ID：200903042699339423

化学気相成長用アルミニウム原料及びこれを用いた薄膜の製造方法

発明者： 小野沢 和久 ,  渡邊 剛 ,  山田 直樹
出願人/特許権者： 旭電化工業株式会社
代理人 (1件)： 羽鳥 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022856
公開番号（公開出願番号）：特開2001-214268
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：

【要約】【課題】 各種CVD法に適する充分な安定性を有する液体であるCVD用アルミニウム原料及び該原料によるアルミニウム系薄膜のCVD法による製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(I)で表され、且つ室温で液体であるアルミニウム化合物からなる化学気相成長用原料。【化1】(式中、nは0〜3の整数を表し、R1 はハロゲン原子、エーテル基で置換されてもよい炭素数1〜8のアルキル基を表し、R2 はハロゲン原子、エーテル基で置換されていてもよい炭素数1〜30の炭化水素基を表し、R3 はハロゲン原子、エーテル基で置換されていてもよい炭素数1〜8のアルキル基を表す)

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表され、且つ室温で液体であるアルミニウム化合物からなる化学気相成長用原料。【化1】(式中、nは0〜3の整数を表し、R1 はハロゲン原子、エーテル基で置換されてもよい炭素数1〜8のアルキル基を表し、R2 はハロゲン原子、エーテル基で置換されていてもよい炭素数1〜30の炭化水素基を表し、R3 はハロゲン原子、エーテル基で置換されていてもよい炭素数1〜8のアルキル基を表す)

IPC (4件)：

C23C 16/20 ,  C07C 49/92 ,  C07F 5/06 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 16/20 ,  C07C 49/92 ,  C07F 5/06 D ,  H01L 21/285 C

Fターム (19件)：

4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H006AC90 ,  4H006BR10 ,  4H006BS10 ,  4H048AA03 ,  4H048AB78 ,  4H048AB91 ,  4H048AC90 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA02 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4M104BB02 ,  4M104DD45