特許
J-GLOBAL ID：200903042704222076
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283979
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 電解めっき法により微細な接続孔および/または配線溝をCu膜やその他の導電膜で良好な埋め込み特性で高精度に埋め込むことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 接続孔および/または配線溝を有する基板上に電解めっき法によりCu膜などの導電膜を成膜して接続孔および/または配線溝を埋め込む場合に、電解めっきを行う際に用いるシード膜としてのCu膜などの導電膜を化学気相成長法により成膜し、そのときの膜厚を1原子層分の膜厚以上100nm以下とする。
請求項（抜粋）：
接続孔および/または配線溝に導電膜を埋め込むようにした半導体装置の製造方法において、少なくとも上記接続孔および/または配線溝の部分の表面に化学気相成長法により膜厚が1原子層分の膜厚以上100nm以下の第1の導電膜を形成する工程と、上記第1の導電膜上に電解めっき法により第2の導電膜を形成して上記接続孔および/または配線溝を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 B
, H01L 21/90 A
