特許

J-GLOBAL ID：200903042705498440

金属酸化物ナノ粒子を使用して電子デバイスを製造する方法

発明者： ダンバー,ティモシー ディー.
出願人/特許権者： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-519418
公開番号（公開出願番号）：特表2008-547237
出願日： 2006年06月22日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

薄膜トランジスタを製造する方法は、(a)半導体金属酸化物ナノ粒子を含む分散液を基板上に溶液堆積させる工程と、(b)ナノ粒子を焼結させて半導体層を形成する工程と、(c)任意で、得られた半導体層に堆積後処理を実施する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを製造する方法であって: (a)半導体金属酸化物ナノ粒子を含む分散液を基板上に溶液堆積させる工程と; (b)前記ナノ粒子を焼結させて半導体層を形成する工程と; (c)任意で、前記得られた半導体層に堆積後処理を実施する工程と、 を含む薄膜トランジスタを製造する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B

Fターム (29件)：

5F110AA17 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06