特許

J-GLOBAL ID：200903042706347488

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 典章
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172034
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021388
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 微細 MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)のソース/ ドレイン(S/D)電極形成の改良方法に関し,素子の微細化に適し, しかも良好な特性を有する半導体へのコンタクトを形成する方法を提供することを目的としている。【構成】 コンタクト孔を開口した後, ポリSi等半導体膜又はメタルを含む導電体膜を形成する工程と, その後イオン注入により該導電体膜の中に,S/D 領域と導電型の同じ不純物をドーピングする工程と, その後コンタクト部の抵抗を減少させるための熱処理を行う工程とから構成する。

請求項（抜粋）：

MOSFETのソース/ ドレイン拡散層の表面にコンタクトを形成する製造方法において,該拡散層よりも低抵抗の主としてメタルを成分として含む第1の導電体層を形成する工程と,該第1の導電体層の上に層間絶縁体膜を堆積し,該層間絶縁体膜と該第1の導電体層の少なくとも一部を貫通し, 該拡散層を露出するコンタクト用開口部を形成する工程と,該コンタクト用開口部に露出した該拡散層の上に第2の導電体層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784