特許
J-GLOBAL ID：200903042707531800
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190801
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041313
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 FZ拡散シリコンウェーハの高比抵抗層の比抵抗の低下を回復させ、500°C前後の熱処理を行なっても比抵抗が1000Ωcm以下に低下しないようにする。これにより高速応答の受光素子を得る。【解決手段】 FZ拡散シリコンウェーハに1200°C付近で3〜8時間の高温熱処理を行なった後、500°Cから1000°C付近まで徐々に温度を上げた後、徐々に温度を下げる低温熱処理を行なう。
請求項（抜粋）：
FZ法により製造された高比抵抗のシリコンウェーハの一方の面に低比抵抗の拡散層を形成したFZ拡散シリコンウェーハを用いた半導体装置の製造方法において、前記のFZ拡散シリコンウェーハを、1200°C±50°Cの温度で3〜8時間の高温の熱処理を行なった後、500°C±50°Cから0.1°C〜5°C/分の率で1000°C±50°Cまで温度を上げ、次に0.1°C〜5°C/分の率で850°C±50°Cまで温度を下げる低温の熱処理を行なう工程を、電極形成工程の前に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/324 Z
, H01L 31/10 A
