特許
J-GLOBAL ID：200903042708165387
シリコン単結晶引上げ装置用ヒートシールド
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050048
公開番号（公開出願番号）：特開平7-223895
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、シリコン単結晶引上げ装置のヒートシールドに関する。ヒートシールドとしての機能を損なうことなくシリコン吸収量をより多くし、且つき裂や膨潤の生じない長寿命の炭素製ヒートシールドを提供することを目的とする。【構成】 全気孔率が40体積%以下であって、ブタノール浸漬法による真密度が1.7乃至2.2Mg/m3であり、かつ水銀圧入法で測定された気孔半径が0.01〜50μmの開気孔の容積が0.10乃至0.35m3/Mgである炭素材から成ることを特徴とするヒートシールドである。このうち、全気孔率が40体積%以下であって、ブタノール浸漬法による真密度が2.0乃至2.2Mg/m3の場合は、水銀圧入法で測定された気孔半径が0.01〜50μmの開気孔の容積が0.10乃至0.20m3/Mgである炭素材から成るヒートシールドが特に好ましい。
請求項（抜粋）：
全気孔率が40体積%以下であって、ブタノール浸漬法による真密度が1.7乃至2.2Mg/m3であり、かつ水銀圧入法で測定された気孔半径が0.01〜50μmの開気孔の容積が0.10乃至0.35m3/Mgである炭素材から成ることを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置用ヒートシールド。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
