不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000297
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190798
出願日： 1995年01月05日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】電源電圧の変動に依存しないのは勿論のこと、製造ばらつきや温度変動にも依存しない昇圧能力を持つ昇圧回路を搭載して、書き込み/消去時における電源パワーの無駄が生じることがない不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】メモリセルアレイ1と、電源電圧の降下により発振周波数が高くなる発振回路9と、発振回路9の駆動により電源電圧を昇圧してアレイ1の書き込み/消去時に必要な電圧を発生する昇圧回路8とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、発振回路9を、定電流源,第1の容量素子及び第1の増幅回路からなる第1の遅延回路と、定電流源,第2の容量素子,及び第2の増幅回路からなる第2の遅延回路と、第1の増幅回路の出力と第2の増幅回路の出力の順序論理を出力し、該出力を第1及び第2の遅延回路の入力として与える順序論理回路とから構成すること。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ機能を有するメモリ本体と、電源電圧の大きさに応じて発振周波数が変化する発振回路と、昇圧能力に駆動周波数依存性を有し、前記発振回路の駆動により電源電圧を昇圧して前記メモリ本体の書き込み/消去時に必要な電圧を発生する昇圧回路と、を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記発振回路は、一定の電流を発生する定電流源と、入力信号の反転によって一端が前記定電流源に接続される容量素子と、入力信号が反転するまでの前記容量素子の一端の電圧との差が電源電圧の増加とともに増加するような参照電圧を発生する参照電圧源と、前記容量素子の一端の電圧と前記参照電圧との差を増幅して出力する増幅回路と、から構成される遅延回路を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 309 D , G11C 17/00 510 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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