特許
J-GLOBAL ID：200903042715078210

半導体装置

発明者：
上田 和宏

上田 和宏 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096428
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293578
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 パワー部に生じる磁界の影響を減じて誤動作や破壊等を低減させた半導体装置を提供する。【構成】 本体21内の上下に離間配置したパワー部27と制御部29との間、及び本体21内面に磁気遮断材料もしくは磁気吸収材料でなる磁界不透過部材26a,26b,26c,26dを設けることで、パワー部27に流れる主電流によって形成された磁界が磁界不透過部材26a,26b,26c,26dによって遮断もしくは吸収され、パワー部27外に漏れ出なくなったり、あるいは制御部29にパワー部27を含む外からの磁界が及ばなくなっている。このため、制御部29が磁界の影響を受けて誤動作したり、この誤動作でパワー部27のパワートランジスタ等が破壊したりすることがなくなる。
請求項（抜粋）：
パワー部と、このパワー部の動作を制御する制御部とを設けてなる半導体装置において、前記パワー部と前記制御部とを離間して配置すると共に、前記パワー部と前記制御部との間に磁界不透過部材を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/00 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 9/00
FI (3件)：
H01L 25/00 B ,  H05K 9/00 H ,  H01L 25/04 C
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-206973
  • 特開平4-233269
  • 半導体パワーモジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172774   出願人：三菱電機株式会社

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