特許
J-GLOBAL ID：200903042717340353

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
磯部 康明

磯部 康明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071252
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274232
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 インナーリードボンディング時に析出する脆い共晶合金をバンプの上面のみに存在させる。【構成】 半導体チップ34上のバンプ33に一括インナーリードホンディングによって接合されたインナーリード32は、バンプ33の外端から20μmだけ内側で上方に屈曲している。そして、一括インナーリードホンディングの際に析出する共晶合金35はインナーリード32の屈曲でできたバンプ33上におけるインナーリード32とバンプ33との間の空間内に析出する。その結果、インナーリードボンディング後にインナーリード32に外力が掛かっても、インナーリード32は共晶合金35の外側から変位するので、脆い共晶合金35には応力が掛からずクラックが発生しない。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に形成されたバンプに、フィルム基材上に形成された金属パターンから成るインナーリードを熱圧着して形成された半導体装置であって、上記バンプ上に接合された上記インナーリードの部分は、金属メッキが施されていると共に、上記バンプ上における上記バンプの外端から内側へ所定距離だけ入り込んだ位置で屈曲しており、上記インナーリードとバンプとを熱圧着した際に析出したバンプ材とインナーリード材との共晶合金は、上記インナーリードの屈曲によって上記バンプ上に形成されたインナーリードとバンプとの間の空間内に保持されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/50 D ,  H01L 23/50 S
引用特許：
審査官引用 (3件)

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