特許
J-GLOBAL ID：200903042735168754
Ni-Cu-Znフェライト材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109324
出願日： 1998年10月01日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：
【要約】【課題】900°C以下の低温で緻密に焼結でき、初透磁率が800以上のNi-Cu-Znフェライト材料の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後粉砕する工程を備えたNi-Cu-Znフェライト材料の製造方法において、鉄化合物として比表面積が8.5m2/g以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を8.0m2/g以上、仮焼後の粉体の比表面積を5.0m2/g以上、粉砕後の粉体の比表面積を6.0m2/g以上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を85〜98%とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後粉砕する工程を備えたNi-Cu-Znフェライト材料の製造方法において、前記鉄化合物として比表面積が8.5m2/g以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を8.0m2/g以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を5.0m2/g以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を6.0m2/g以上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を85〜98%とすることを特徴とする、Ni-Cu-Znフェライト材料の製造方法。
IPC (3件)：
C01G 53/00
, H01F 1/34
, C04B 35/30
C01G 53/00 A
, H01F 1/34 Z
, C04B 35/30 C
4G018AA01
, 4G018AA23
, 4G018AA24
, 4G018AA25
, 4G018AB02
, 4G018AC01
, 4G018AC12
, 4G048AA03
, 4G048AB05
, 4G048AC02
, 4G048AC03
, 4G048AD04
, 4G048AD06
, 4G048AE05
, 5E041AB01
, 5E041AB19
, 5E041BD01
, 5E041CA10
, 5E041HB01
, 5E041NN02
, 5E041NN06
, 5E041NN17
