特許

J-GLOBAL ID：200903042737929019

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 裕之 ,  新井 岳 ,  諏訪 元大 ,  鎌田 千代士
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114452
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298218
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 高周波信号の信号伝送ラインについて、反射・放射損失を低減する。【解決手段】 水平方向に延在し高周波信号を伝送する一の配線層と同一の高周波信号を伝送する他の配線層とを垂直方向に接続する接続部を斜めに形成することによって、前記信号の伝送経路の垂直方向の屈曲部が鈍角をなす構成とする。前記配線層は、例えば、半導体チップ、パッケージ基板、実装基板等に形成された配線層であり、前記接続部は、例えば、突起電極、スルーホール或いはビアホール等である。【効果】 高周波信号の伝送経路の垂直方向の屈曲部が鈍角をなす構成となっているために、伝送経路の垂直方向の屈曲による信号の反射や放射損失による電気特性の劣化を低減することができ、高周波領域に於ける電気特性を30%以上向上させることが可能である。

請求項（抜粋）：

水平方向に延在する一の配線層と水平方向に延在する他の配線層とを垂直方向に接続して構成された高周波信号を伝送する伝送経路を有する半導体装置において、前記一の配線層と他の配線層とを垂直方向に接続する接続部を斜めに形成することによって、前記接続部による信号伝送経路の垂直方向の屈曲部が鈍角をなすことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321 X ,  H01L 21/92 602 P