ダイナミック型半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077664
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260054
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】昇圧電圧を用いる必要のないダイナミック型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】所定数の行ごとにメモリアレイ(1)をメモリブロック(MB♯a〜MB♯n)に分割し、選択ワード線を含むメモリブロックに対しセルプレート電圧を変化させてストレージノードの電圧を昇圧する。非選択ワード線は、選択ワード線が電源電圧レベルへ駆動されるとき、負電圧レベルに保持される。これにより、非選択メモリセルにおいてセルプレート電圧変化時においてビット線とストレージノードとが接続されて電荷が移動するのを防止することができ、非選択メモリセルのデータの破壊を防止することができる。

請求項（抜粋）：

各々がセルプレート電圧を受けるセルプレート電極ノードと情報を記憶するためのストレージノードとを有するキャパシタを含みかつ行列状に配列される複数のメモリセルを有するメモリアレイ、各前記行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルが接続される複数のワード線、第1のアドレス信号に従って、アドレス指定された行に対応して配置されたワード線を非昇圧の第1の電圧レベルに駆動して選択状態に置きかつ非選択ワード線を前記第1の電圧と極性の異なる第2の電圧レベルに保持する行選択手段、所定数の行のメモリセルの組各々に対応して設けられ、対応の組がアドレス指定された行を含むとき該対応の組のメモリセルのキャパシタのセルプレート電極ノードの電圧をパルス状に変化させるためのセルプレート駆動手段を備える、ダイナミック型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 11/404

FI (2件)：

G11C 11/34 354 D , G11C 11/34 352 D

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