特許

J-GLOBAL ID：200903042740072773

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294632
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、接続孔に導電体を埋め込んでプラグ層を形成する際に、プラグ層を形成するための原料ガスが配線層へ透過して配線層間の導通不良を招く絶縁膜が形成されることを阻止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Al-0.5%Cu下層配線膜12とTi/TiN上層配線膜14との積層構造からなる第1配線層16を被覆するポリアリールエーテル膜20とシリコン酸化膜22とが順に積層された第2層間絶縁膜24が形成されており、この第2層間絶縁膜24に開口されたビアホール26内にTi/TiN/Wバリアメタル膜30を介してWプラグ層32aが充填されている。そして、Ti/TiN上層配線膜14上層部のTiN膜とTi/TiN/Wバリアメタル膜30との間にTiNX (x>1)バリア薄膜28が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、上層部に高融点金属膜を有する第1の配線層と、半導体基体全面に形成され、前記第1の配線層を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口された接続孔に充填され、前記第1の配線層上層部の前記高融点金属膜表面に接続するプラグ層と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記プラグ層に接続する第2の配線層と、を具備する半導体装置であって、前記第1の配線層上層部の前記高融点金属膜と前記プラグ層との間に、前記プラグ層を形成するための原料ガスが前記第1の配線層に透過することを阻止するためのバリア薄膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 S

Fターム (67件)：

4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104EE18 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20 ,  5F004AA11 ,  5F004BA08 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA06 ,  5F004EA22 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA01 ,  5F004FA07 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK31 ,  5F033KK33 ,  5F033LL10 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28