特許

J-GLOBAL ID：200903042747821569

半導体受光装置の製造方法

発明者： 安岡 奈美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-175462
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026801
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体受光装置の製造方法に関し、pn接合が露出する部分を減少させることでリーク電流を低く抑え、又、結晶成長と同時にpn接合を生成させ、その位置を正確に制御できるようにし、製造歩留りを向上させようとする。【解決手段】 段差形状基板31上に該段差形状を受け継いだ少なくとも光導波層32、光吸収層33、光導波層34を順に積層形成して光導波路型pin受光素子を製造する場合、光吸収層33上に光導波層34を形成する際にp型不純物である例えばZn及びn型不純物である例えばSeを同時にドーピングして結晶を成長することに依って前記光導波層34にp+ 領域34A及び34Cとn領域34Bとを選択的に且つ同時に生成させる。

請求項（抜粋）：

段差形状基板上に該段差形状を受け継いだ少なくとも光導波層及び光吸収層及び光導波層を順に積層形成して光導波路型pin受光素子を製造する場合に於いて、前記光吸収層上に光導波層を形成する際にp型領域を生成するp型不純物及びn型領域を生成するn型不純物を同時にドーピングして結晶を成長することに依って前記光導波層にp型領域とn型領域とを選択的に生成させる工程が含まれてなることを特徴とする半導体受光装置の製造方法。