特許

J-GLOBAL ID：200903042751388624

銅配線の形成方法

発明者： 三沢 信裕 ,  大場 隆之 ,  原 樹 ,  鈴木 寿哉 ,  各務 克己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212965
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061224
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造などに用いられる銅配線の形成方法に関し、エッチング工程を用いずに銅配線を形成する方法を提供する。【構成】絶縁膜12を露出する開口部14Aの周辺表面がシリコン又はゲルマニウムを含む導電性膜14の表面にて構成された基板の温度を400°C以上にし、銅の有機化合物を含む反応ガスを用いて、露出した前記絶縁膜12上に銅膜13を堆積する工程と、前記導電性膜14を選択的に除去して銅配線層13Aを形成する工程とを有することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜(12)を露出する開口部(14A)の周辺表面がシリコン又はゲルマニウムを含む導電性膜(14)の表面にて構成された基板の温度を400°C以上にし、銅の有機化合物を含む反応ガスを用いて、露出した前記絶縁膜(12)上に銅膜(13)を堆積する工程と、前記導電性膜(14)を選択的に除去して銅配線層(13A)を形成する工程とを有することを特徴とする銅配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302