特許
J-GLOBAL ID：200903042756164678
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207781
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066221
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 微細で、かつ断面積の大きいT字形ゲート電極の機械的強度の向上、ゲート容量の低減を図って信頼性の向上を目的とする。【構成】 活性層を有する半導体基板1上にソース電極2、ドレイン電極3とともに形成したゲート電極8の断面積が大きい庇部の上面から側面にスペーサ9を断続的に形成する。【効果】 半導体装置におけるT字形ゲート電極を上記のような構成とすることにより、ゲート電極の機械的強度を高めることができ、断線、剥がれが少なくなり信頼性の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
活性層を有する半導体基板上にT字形ゲート電極とソース電極、ドレイン電極とを有する半導体装置において、上記T字形ゲート電極の断面積が大なる庇部の上面から側面にスペーサを断続的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
