特許
J-GLOBAL ID：200903042761941399
LSIの拡散防止層形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067809
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283465
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 オーミックコンタクト部においてはチタンシリサイドを薄く均一な厚さに形成できしかも十分に厚い窒化チタン層を形成できるLSIの拡散防止層形成方法を提供する。【構成】 本発明は、チタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いてスパッタリングを行い、チタンに対する窒素の原子量比が1未満の組成を有する薄膜をシリコン上に成膜し、次いで加熱処理を行って、前記薄膜のシリコン側にチタンシリサイドを生成させるとともに、前記薄膜の配線層側に窒化チタン層でなるオーミックコンタクト部拡散防止層を形成し、次いで配線層を形成した後、チタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いて反応性スパッタリングを行い、窒化チタンよりなる配線用拡散防止層を形成するLSIの拡散防止層形成方法である。
請求項（抜粋）：
実質的にチタンと窒素からなり、チタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いてスパッタリングを行い、チタンに対する窒素の原子量比が1未満の組成を有する薄膜をシリコン上に成膜し、次いで加熱処理を行って前記薄膜とシリコンを反応させ、前記薄膜のシリコン側にチタンシリサイドを生成させるとともに、前記薄膜の配線層側に窒化チタン層でなるオーミックコンタクト部拡散防止層を形成し、次いで配線層を形成した後、実質的にチタンと窒素からなり、チタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いて窒素を含むスパッタリングガスで反応させる反応性スパッタリングを行い、窒化チタンよりなる配線用拡散防止層を形成することを特徴とするLSIの拡散防止層形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, H01L 21/28 301
