特許

J-GLOBAL ID：200903042762878119

半導体受光素子

発明者： 竹内 剛
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077518
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 InGaAs pin フォトダイオードでは、応答特性の高速化のためのキャリアの走行時間短縮、及び受信感度の改善に求められる光電変換効率の向上とが、光吸収層厚に関してトレードオフの関係にある。これを解決するため、例えば表面入射型素子で、素子裏面での反射光を活用したり、あるいは入射光を光吸収層と平行な方向から入射させるなどの工夫がなされている。しかしこれらの素子にはいずれも光結合トレランスが低いという問題点があった。本発明の目的は、高速応答特性および高受信感度を持ち、しかも光結合トレランスも高い半導体受光素子を提供することにある。【構成】 素子裏面にマイクロレンズ13を形成した裏面入射型半導体受光素子において、素子表面で反射された入射光を再反射するための反射膜が、マイクロレンズ頂上部に形成されている。反射膜はTi膜15及びAu膜16でなっている。

請求項（抜粋）：

素子裏面にマイクロレンズを形成した裏面入射型半導体受光素子において、素子表面で反射された入射光を再反射するための反射膜が、前記マイクロレンズ頂上部に形成されていることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 D