特許
J-GLOBAL ID:200903042772584822

電子部品およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-328571
公開番号(公開出願番号):特開平10-173117
出願日: 1996年12月09日
公開日(公表日): 1998年06月26日
要約:
【要約】【課題】 パッケージの機械的強度あるいは高周波特性を維持しつつ、回路基板に実装する際の半田やフラックスの侵入を防止し、工程不良率の低減を図る。【解決手段】 チップ3を搭載したリードフレーム4,5の一方の面に、樹脂でチップ3を囲むように枠状に土手部2bを形成する。リードフレーム4,5の他方の面に、基板部2aを形成し、リードフレーム4,5を挟むようにする。土手部2bにキャップ8を接合することによりチップ3を封止する中空部が形成される。そして、リードフレーム4,5の表面を、基板部2aおよび土手部2bに接する第1の領域13,16と、この第1の領域以外の第2の領域18とに区分けする。第1の領域13,16には、樹脂との密着性が高いニッケルめっきを施し、第2の領域18には、導通性やボンディング性が良く、かつ樹脂との密着性が低い金めっきを施す。
請求項(抜粋):
一方の面にチップが搭載されたリードフレームと、前記チップを囲むように形成された枠状の土手部と、前記リードフレームの他方の面に前記土手部とつながるように形成された基板部とを備え、前記リードフレームの表面を、前記基板部および土手部に接する第1の領域と、この第1の領域以外の第2の領域との2つの領域に区分けし、前記第1の領域には第2の領域と比べ樹脂との密着性が高い金属からなる第1のめっきを施したことを特徴とする電子部品。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/04
FI (3件):
H01L 23/50 D ,  H01L 23/50 G ,  H01L 23/04 F
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-232111   出願人:ソニー株式会社
  • 特開平4-337657
  • 特開昭60-262449

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