特許

J-GLOBAL ID：200903042772850069

低温焼成誘電体磁器及びその製造方法

発明者： 水谷 秀俊 ,  奥山 雅彦 ,  吉田 則隆 ,  尾関 博文 ,  片桐 弘至
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087397
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259319
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 τf を実用的な範囲に維持しつつ、高い無負荷Q値を備える誘電体磁器組成物、及びそれを比較的低温で焼成して製造する方法を提供する。【構成】 BaCO3 、TiO2 及びZnO他の各粉末を所定量比で混合し、大気雰囲気下、1000°Cで6時間仮焼し、粉砕して得られる平均粒径1〜3μmの仮焼粉末95重量%に、Pb3 O4 、SiO2 、Na2 0他の各粉末を所定量比で混合し、1100°Cの温度で2時間熔融し、その後、水中に投入し、粉砕して得られる平均粒径0.1〜1.5μmのガラス粉末5重量%をエタノール中で混合した。この混合物を乾燥後、樹脂を加えて造粒し、この造粒粉を800kg/cm2 の圧力で、直径が25mm、高さが15mmの円柱状に成型した後、1500kg/cm2 の圧力で等方静水圧プレス処理を行い、処理後の成形体を大気雰囲気下、900°Cの温度で2時間焼成し、低温焼成誘電体磁器を得た。

請求項（抜粋）：

BaO・xTiO2 〔但し、3.0≦x≦5.7〕で表される組成物100重量部に対して、0.1〜20重量部のZnO、0.1〜10重量部のTa2 O5 、0.1〜1重量部のMnO2 、並びに1重量部以下のWO3、15重量部以下のSnO2 、15重量部以下のMgO、15重量部以下のSrO及び5重量部以下のZrO2 のうちの少なくとも1種を含有してなる仮焼粉末に、転移点が450°C以下のガラス粉末0.1〜20重量部(該仮焼体を100重量部とする。)が添加され、焼成されてなり、吸水率が5.0%以下、且つ下記方法により測定した無負荷Q値と共振周波数との積が2000GHz以上であることを特徴とする低温焼成誘電体磁器。無負荷Q値:平行導体板型誘電体共振器法、測定周波数;1〜5GHz

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01P 7/10

FI (3件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01P 7/10