特許

J-GLOBAL ID：200903042774161465

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびこれらの製造方法

発明者： 細見 政功 ,  古川 昭夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348430
公開番号（公開出願番号）：特開2002-157708
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 磁束ガイド型CPP構成のデュアル型MR素子および磁気ヘッドにおいて、高感度化、トラック幅の狭小化、高記録密度化を可能にする。【解決手段】 磁気シールドを兼ねる電極1、2間に、自由層を兼ねる磁束ガイド層13を挟んでその両面に、スペーサ層と固定層と反強磁性層とが積層された第1および第2の積層部11および12が配置される。これら積層部のいずれか一方と磁束ガイド層とはストライプ部構成とされ、磁束ガイド層の一端が外部磁界の導入端とされる。他方の積層部は外部磁界の導入端よりストライプ方向に沿って奥行方向に後退した位置に、ストライプ部に限定的に形成される。対の電極1および2間にセンス電流が通電され、積層部11および12の重ね合わせ部を磁気抵抗効果の実働部とし、積層方向にセンス電流の通電がなされる。

請求項（抜粋）：

相対向する対の電極もしくは磁気シールドを兼ねる電極間に、自由層の一部もしくは全部を兼ねる磁束ガイド層を挟んでその両面に、それぞれ該磁束ガイド層側から少なくともスペーサ層と固定層と反強磁性層とが積層されて成る第1および第2の積層部が配置され、上記第1および第2の積層部のいずれか一方と上記磁束ガイド層とがストライプ部構成とされ、該ストライプ部の磁束ガイド層の一端が外部磁界の導入端に臨み、他方の上記第1または第2の積層部は、上記外部磁界の導入端より、上記ストライプ方向に沿って奥行方向に所要の距離だけ後退した位置に、上記ストライプ部の奥行長の一部に限定的に形成され、上記対の電極間にセンス電流が通電されるようになされて、上記第1および第2の積層部の重ね合わせ部を磁気抵抗効果の実働部とし、上記各層の積層方向にセンス電流の通電がなされる垂直通電型構成によることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

Fターム (7件)：

5D034AA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034BB09 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08