特許

J-GLOBAL ID：200903042774680950

露光マスクおよびその製造方法、ならびに転写パターンの形成方法

発明者： 鏡 一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050892
公開番号（公開出願番号）：特開2003-248296
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 疎密を有する設計パターンを設計データ通りに精度よく形成することが可能な、露光マスクその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 疎密を有する設計パターン31を基板11上に転写する際に用いる露光マスクであって、設計パターン31とともにこの設計パターン31の疎な領域にダミーパターン32が形成された第1の露光マスク21と、ダミーパターン32の反転パターン33が形成された第2の露光マスク22とからなることを特徴とする露光マスクおよびその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法である。

請求項（抜粋）：

疎密を有する設計パターンを基板上に転写する際に用いる露光マスクであって、前記設計パターンとともにこの設計パターンの疎な領域にダミーパターンが形成された第1の露光マスクと、前記ダミーパターンの反転パターンが形成された第2の露光マスクとからなることを特徴とする露光マスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 C

Fターム (5件)：

2H095BA05 ,  2H095BB01 ,  5F046AA11 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17