特許

J-GLOBAL ID：200903042776098981

洗浄剤組成物

発明者： 酒井 章充 ,  田村 敦司
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-181801
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069495
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】配線材料に対する腐食が少なく、且つ微小粒子や金属不純物が付着した半導体用基板又は半導体素子の洗浄性に優れる洗浄剤組成物を提供すること。【解決手段】還元剤を含有してなり、酸化還元電位(25°C)が+0.2V以下であり、pH(25°C)が3〜12である洗浄剤組成物、及び該洗浄剤組成物を用いる半導体用基板又は半導体素子の洗浄方法。

請求項（抜粋）：

還元剤を含有してなり、酸化還元電位(25°C)が+0.2V以下であり、pH(25°C)が3〜12である洗浄剤組成物。

IPC (7件)：

C11D 7/60 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/26 ,  C11D 17/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304

FI (7件)：

C11D 7/60 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/26 ,  C11D 17/00 ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 Z

Fターム (19件)：

4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003DC04 ,  4H003EA12 ,  4H003EA23 ,  4H003EB07 ,  4H003EB14 ,  4H003EB20 ,  4H003EB24 ,  4H003EB28 ,  4H003EB30 ,  4H003EB41 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003EE02 ,  4H003FA07 ,  4H003FA28 ,  4H003FA37

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 洗浄液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329075   出願人：株式会社東芝
• 洗浄処理剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152834   出願人：和光純薬工業株式会社
• 洗浄剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-358117   出願人：花王株式会社
• 微粒子の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-304616   出願人：栗田工業株式会社
• ウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138365   出願人：日本電気株式会社