特許

J-GLOBAL ID：200903042778944413

処理方法及びその装置並びにCVD成膜方法及びその装置

発明者： 酒井 俊彦 ,  西谷 英輔 ,  荒井 利行 ,  鈴木 美和子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-083456
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275077
出願日： 1996年04月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】本課題は、大口径ウエハでも過渡状態のウエハ面内温度分布を小さくできる熱処理方式によりウエハ内の結晶欠陥を抑えつつ均一な膜厚分布で半導体を製造する。【解決手段】本発明は、ウエハ温度上昇曲線を予め定め、この各時点での温度におけるウエハ上の各位置からの放熱量に一致させるように、ウエハ全面で一様な昇温エネルギー成分と、各温度に応じて面内分布が変化する放熱エネルギー成分とを分別して制御することで、ウエハを均一昇降温する。このためにウエハ全面を均一照射するランプ光学系の光強度とウエハ外周部のみを照射するライトガイド光学系の光強度とを制御する。

請求項（抜粋）：

被処理基板の各位置からの放熱量に適合する光強度分布で被処理基板に対して光を照射して基板を加熱処理することを特徴とする処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 L ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/26 L