特許
J-GLOBAL ID：200903042785785487
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252085
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 安価で可及的に高い容量を備えたキャパシタを有する半導体装置の提供。【解決手段】 半導体基板上に形成された下部電極5と、この下部電極上に形成されたタングステンの酸化物層7と、この酸化物層上に形成された誘電体層9と、この誘電体層上に形成された上部電極11と、を備えていることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された下部電極と、この下部電極上に形成されたタングステンの酸化物層と、この酸化物層上に形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成された上部電極と、を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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