特許

J-GLOBAL ID：200903042787950205

化学的機械的研磨用スラリ及び半導体装置の製造方法

発明者： 南幅 学 ,  矢野 博之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352451
公開番号（公開出願番号）：特開2002-155268
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【課題】 高研磨速度及び低エロージョンの両方が実現でき、その結果、低コストで高性能な配線を形成することができる化学的機械的研磨用スラリ及びこのスラリを使用したCMPを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 溶媒と、この溶媒に分散した研磨粒子と、少なくとも1種類の第1の界面活性剤と、少なくとも1種類の第2の界面活性剤とを備えたCMP用スラリを用いて化学的機械的研磨を行う。このスラリを用いることにより高研磨速度及び低エロージョンを実現させることができる。また、長時間研磨しても研磨速度が著しく低下しない。前記第1の界面活性剤は、前記研磨粒子の分散性及び研磨時に被研磨膜である金属膜の表面に形成される表面保護膜の緻密性を高め、前記第2の界面活性剤は、前記研磨粒子の分散性及び前記表面保護膜の緻密性及び親水性を高め、且つ研磨時に用いられる研磨パッド表面の親水性を高める。

請求項（抜粋）：

溶媒と、この溶媒に分散した研磨粒子と、少なくとも1種類の第1の界面活性剤と、少なくとも1種類の第2の界面活性剤とを備えたことをを特徴とする化学的機械的研磨用スラリ。

IPC (6件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/306 M

Fターム (12件)：

3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA21 ,  5F043AA26 ,  5F043AA31 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07 ,  5F043GG03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化学機械研磨用研磨剤スラリ-
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-333383   出願人：株式会社岡本工作機械製作所
• CMP研磨液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053001   出願人：日立化成工業株式会社