特許

J-GLOBAL ID：200903042788207255

薄膜構造体の製造装置

発明者： 入田 丈司 ,  鈴木 美彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069947
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260337
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、基板に薄膜を形成してなる薄膜構造体の製造装置に関し、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが密着しないように、簡易な構造で多数枚の基板を同時に処理することを目的とする。【解決手段】 昇華性物質が溶融状態で収容され薄膜構造体が浸漬可能な昇華性物質槽と、前記昇華性物質槽内の昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質加熱手段とを有して構成する。また、前記昇華性物質槽および前記昇華性物質加熱手段を、雰囲気容器内に収容して構成する。さらに、前記雰囲気容器内に、前記薄膜構造体への前記昇華性物質の付着を促進する前処理液が収容され前記薄膜構造体が浸漬可能な前処理槽を収容して構成する。

請求項（抜粋）：

昇華性物質が溶融状態で収容され薄膜構造体が浸漬可能な昇華性物質槽と、前記昇華性物質槽内の昇華性物質を融点以上の温度に加熱する昇華性物質加熱手段と、を有することを特徴とする薄膜構造体の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B01J 19/00 ,  C23F 1/00 104 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/304 341 M ,  B01J 19/00 K ,  C23F 1/00 104 ,  H01L 21/306 J