特許

J-GLOBAL ID：200903042789932069

液晶表示素子

発明者： 鵜飼 育弘 ,  稲田 利弥
出願人/特許権者： ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025306
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221705
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 画素電極と共通電極の相対位置のずれによる表示むらの防止と、絶縁膜の蓄積電荷による電界の変化による画面の焼付防止。【解決手段】 IPS(インプレインスイッチング)モード・トップゲート型・TFTマトリクス型のLCDにおいて、ソース電極11a、ソースバス11、ドレイン電極12a、画素電極12及び共通電極8が同じ層として形成される。各種電極等の形成されたガラス基板6aにゲート絶縁膜9が各画素の表示領域を除いて形成される。ゲート絶縁膜9上にゲートバス7及び蓄積容量用バス20が形成される。蓄積容量用バス20は画素電極12の一部と重なるよう形成され、両者の間に容量Csが形成される。蓄積容量用バスの代りに隣接のゲートバスを用いることもできる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の内面にトップゲート型TFT(薄膜トランジスタ)、画素電極、共通電極の形成されたTFTアレイ基板と、対向基板とが液晶層を挟んで近接対向され、それら基板とほぼ平行な電界により液晶分子を動かして光の透過を制御するIPS(イン・プレイン・スイッチング)モード・トップゲート型・TFTマトリクス型の液晶表示素子において、前記TFTのソース電極及びドレイン電極と、それらソース電極及びドレイン電極にそれぞれ接続されたソースバス及び前記画素電極と、前記共通電極とが、前記ガラス基板の内面に同じ層として形成され、前記ソース電極とドレイン電極の間及びその近傍に半導体層が形成され、前記各種の電極、バス及び半導体層の形成された前記ガラス基板の内面に、ゲート絶縁膜が、各画素の表示領域を除いて形成され、そのゲート絶縁膜上に、ゲートバスが前記半導体層と重なるように形成され、前記ゲート絶縁膜上に、蓄積容量用バスが前記画素電極の一部と重なるように形成されていることを特徴とする液晶表示素子。

IPC (3件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C