特許

J-GLOBAL ID：200903042790236971

MOS型半導体装置およびその製造方法

発明者： 山下 恭司 ,  小田中 紳二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114459
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326122
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 MOS型半導体装置の微細化を実現し、かつ高速で高信頼性で、しかも低消費電力化を実現する。【構成】 ソース側はL型側壁5下で浅い接合深さを有する高濃度拡散層7の接合深さがL型側壁下以外の高濃度拡散層6の接合深さよりも浅く形成されているシングルドレイン構造で、ドレイン側は高濃度拡散層6と低濃度拡散層8のLDD構造で構成され、さらにゲート電極4と高濃度拡散層6がシリサイド化されている。これによりドレイン側のLDD構造により信頼性を維持し、一方ソース側のシングルドレイン構造により駆動能力が向上する。高濃度拡散層7の接合深さが高濃度拡散層6の接合深さよりも浅く形成され、ショートチャネル効果を抑制している。n型高濃度拡散層6及びゲート電極4がシリサイド化されているため、寄生抵抗が減少し高速化が図れる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の一主面に素子分離領域で分離された複数の島領域と、前記第1導電型の半導体基板の一主面にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の側部に形成されたL型の側壁を有し、ドレイン側に第2導電型の低濃度拡散層と第2導電型の高濃度拡散層を有し、ソース側にL型側壁下で浅い接合深さを有する第2導電型の高濃度拡散層と前記第2導電型の高濃度拡散層を有し、前記第2導電型の高濃度拡散層及び前記ゲート電極がシリサイド化されていることを特徴とするMOS型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 L ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 P