特許

J-GLOBAL ID：200903042791787343

コンタクト形成方法

発明者： 芳賀 豊
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098303
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289247
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 高密度プラズマCVD法により層間絶縁膜を形成し、ブランケット膜でコンタクトホールの埋め込みを行う際に、ブランケット膜の剥離が生じないように改良された方法を提供する。【解決手段】 本発明方法は、配線接続領域又は配線層12上に高密度プラズマCVD法をにより層間絶縁膜13を形成する層間絶縁膜形成工程と、層間絶縁膜をCMP法によって平坦化する平坦化工程と、層間絶縁膜を貫通し、配線接続領域又は配線層を露出させるコンタクトホ-ル14を開口する開口工程と、層間絶縁膜内に封入された気体粒子を層間絶縁膜から排除するために350°C から450°Cの範囲の温度で熱処理を行うアニ-ル工程と、コンタクトホールを埋め込むために、スパッタ法またはCVD法により密着層を形成し、次いで、ブランケット膜をCVD法により形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

配線接続領域又は配線層上に高密度プラズマCVD法により層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、層間絶縁膜をCMP法によって平坦化する平坦化工程と、層間絶縁膜を貫通し、配線接続領域又は配線層を露出させるコンタクトホ-ルを開口する開口工程と、層間絶縁膜内に封入された気体粒子を層間絶縁膜から排除するために350°C から450°Cの範囲の温度で熱処理を行うアニ-ル工程と、コンタクトホールを埋め込むために、スパッタ法またはCVD法により密着層を形成し、次いで、ブランケット膜をCVD法により形成する工程とを有することを特徴とするコンタクト形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R