特許
J-GLOBAL ID：200903042796022531
半導体加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006454
公開番号（公開出願番号）：特開平9-196966
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ゴミや異物に左右されることなく加速度を正確に検出することができると共に、半導体加速度センサに大きな衝撃力が加わってもセンサチップが破損することのない半導体加速度センサのコスト低減を図る。【解決手段】 ダイヤフラム部を形成した半導体センサチップの一端を、基板上に形成された少なくとも1層の厚膜からなる台座部に固定して片持ちばり構造を形成し、ダイヤフラム部の変位から加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、上記基板上に少なくとも1層からなる厚膜で形成された、センサチップの自由端に対して上記基板の方向への変位量を制限するための凸部を有し、上記センサチップの自由端に対向する基板上の位置に、上記台座部より低い凸部を設け、該凸部は、上記台座部と共に上記基板上に厚膜を成膜する工程で形成される。
請求項（抜粋）：
ダイヤフラム部を形成した半導体センサチップの一端を、基板上に形成された少なくとも1層の厚膜からなる台座部に固定して片持ちばり構造を形成し、上記ダイヤフラム部の変位から加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、上記基板上に少なくとも1層からなる厚膜で形成された、上記センサチップの自由端に対して上記基板の方向への変位量を制限するための凸部を有し、上記センサチップの自由端に対向する基板上の位置に、上記台座部より低い凸部を設け、該凸部は、上記台座部と共に上記基板上に厚膜を成膜する工程で形成されることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 B
