有機TFT装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-051247
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258256
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】簡便な方法で製作でき、低コスト、高性能の有機TFT装置を提供する。【解決手段】導電膜の切削により形成された間隙が有機半導体層で連結され、有機半導体からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極が構成された有機TFT素子をマトリクス配置する。

請求項（抜粋）：

導電膜の切削により形成した間隙をもって対向するソース電極及びドレイン電極、前記間隙を埋める有機半導体層からなるチャネル、該チャネルを覆うゲート絶縁層並びに該ゲート絶縁層を介して前記チャネルと対向するゲート電極を備える有機TFT素子を、信号線と走査線で構成したマトリクスに配列し、前記ソース電極で前記信号線の一部を、前記ゲート電極で前記走査線の一部をそれぞれ構成したことを特徴とする有機TFT装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , H01L 21/302 201 , H01L 21/336 , H01L 51/00

FI (6件)：

G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , H01L 21/302 201 B , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 616 K , H01L 29/28

Fターム (47件)：

2H090JB03 , 2H090LA04 , 2H092HA28 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA09 , 2H092MA01 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 5F004BA20 , 5F004BB03 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB23 , 5F004DB31 , 5F004EB02 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE41 , 5F110FF01 , 5F110FF25 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ03

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-069971
液晶表示装置における薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-275730 出願人：富士通株式会社
特開昭61-245136

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