特許
J-GLOBAL ID：200903042798073826
半導体光集積素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020573
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190978
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 発光や受光、光メモリ、光閾値などの機能を持つ半導体光集積素子を実現する。【構成】 n-Al0.4 Ga0.6 As19とn-GaAs/AlAs多層膜反射鏡20とn-GaAs21とが一部の領域でp型に変換されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に第一導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、第一導電型の第1半導体層、第一導電型とは反対の第二導電型の第2半導体層、第一導電型の第3半導体層、および第一導電型の第2の半導体多層膜反射鏡が形成され、前記第2半導体層のなかにそれよりも小さい禁制帯幅の活性半導体層が形成されており、それらの一部の領域で第3半導体層と第2の半導体多層膜反射鏡とを第二導電型に変えることによって面発光半導体レーザが形成され、残りの領域にバイポーラトランジスタが形成されていることを特徴とする半導体光集積素子。
引用特許：
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