特許
J-GLOBAL ID：200903042798211897
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283741
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】低電圧、かつ、低消費電力で動作を行うことのできる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【構成】基板、基板上に設けられた針状結晶及び針状結晶に電流を流すための手段を有する半導体装置。キヤリアが流れる部分が直径10nm以下であるpn接合を有するSiの細線と、これに電流を流すための手段を有する半導体装置。これらの針状結晶やSiの細線は、その太さが100nm以下であるものがよい。これらは、イオンビーム注入法により又は走査トンネル顕微鏡の針を用いて基板に金属被着部を作り、その上に針状結晶又はSiの細線を形成して製造できる。
請求項（抜粋）：
基板、該基板上に設けられた針状結晶及び該針状結晶に電流を流すための手段を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 29/804
, H01S 3/18
