特許
J-GLOBAL ID：200903042801194354
透明導電膜の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275727
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】ITOにくらべて低コストのZnOの抵抗率を高くしないで透過率を高める。【構成】抵抗率を低くするためにスパッタリングのZnO太陽電池に添加するAl2 O3 の濃度を1重量%以下に抑えると共に、スパッタリング雰囲気のAr中に水素を加えることにより高透過率を達成する。さらに、スパッタリング成膜工程とH2 を含む雰囲気にさらす工程とを交互に繰り返すことにより低抵抗化をはかることができる。
請求項（抜粋）：
0.5重量%〜1重量%の濃度の酸化アルミニウムを含む酸化亜鉛からなるターゲツトを用い、水素を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする透明導電膜の成膜方法。
IPC (8件)：
H01L 31/04
, C01G 9/00
, C03C 17/245
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503
, H01L 21/203
