特許

J-GLOBAL ID：200903042801912265

誘電体素子の製造方法

発明者： 島田 勝人
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149524
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343642
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 誘電体結晶の特定結晶面の配向度を高めたり、粒径を小さくしたり、膜を緻密にすることにより、残留分極や誘電率等の強誘電体あるいは常誘電体特性を向上し、信頼性に優れた大容量のDRAMや不揮発性メモリを提供する。【構成】 シリコン基板101上に、非晶質の誘電体膜105を形成する工程と、前記非晶質の誘電体膜105にエキシマレーザ等の紫外線106を照射して、その紫外線のエネルギーを吸収して非晶質の誘電体膜を結晶化107する工程を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、直接あるいは他の層を介して、非晶質の誘電体膜を形成する工程と、前記非晶質の誘電体膜に紫外線を照射して前記誘電体膜を結晶化する工程を含むことを特徴とする誘電体素子の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-238672
  
• 特開平2-238672
  
• 特開平2-283022
  
• 特開平4-080971