特許
J-GLOBAL ID:200903042803657190

転写シート及びそれを用いた配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-199275
公開番号(公開出願番号):特開平10-051108
出願日: 1996年07月29日
公開日(公表日): 1998年02月20日
要約:
【要約】【課題】樹脂フィルム上に接着層を介して金属層が形成された転写シートによって微細配線を転写させる場合、転写シートの収縮によって配線間の寸法誤差が発生し、これによりバイアホールとの接続不良が発生する等の問題があった。【解決手段】樹脂フィルム1の表面に接着層2を介して金属層3が形成され、金属層3を絶縁基板5表面に転写して導体回路を形成するためのものであって、金属層3の厚みが1〜100μm、樹脂フィルム1を70〜170°Cで熱処理して、樹脂フィルム1の厚みが10〜500μm、100°Cで1時間加熱後の収縮が0.05%以下であり、且つ樹脂フィルム1への金属層3の粘着力が50〜700g/20mmの転写シートAを用いて、この転写シートAと絶縁基板5とを積層した後、樹脂フィルム1を剥離して絶縁基板5に導体回路3を転写させる。
請求項(抜粋):
樹脂フィルムの表面に接着層を介して金属層が形成され、該金属層を絶縁基板表面に転写して導体回路を形成するための転写シートであって、前記金属層の厚みが1〜100μm、前記樹脂フィルムが、厚み10〜500μm、100°Cで1時間加熱後の収縮が0.05%以下であり、且つ前記樹脂フィルムへの金属層の粘着力が50〜700g/20mmであることを特徴とする転写シート。
IPC (4件):
H05K 3/20 ,  B32B 15/08 ,  B32B 27/00 ,  H01L 23/12
FI (4件):
H05K 3/20 A ,  B32B 15/08 J ,  B32B 27/00 Z ,  H01L 23/12 Q

前のページに戻る