特許
J-GLOBAL ID：200903042807216333
空間光変調器アレイ用メモリ回路、空間光変調器システムおよびメモリセルアレイアドレス方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124341
出願日： 1993年01月04日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 電気的にアドレス可能なマイクロ機械変調素子アレイを有し、そのアドレス電極により素子が入射光線にどのように影響を及ぼすかが決定される、空間光変調器に使用するメモリ回路を提供する。【構成】 メモリ回路11は各変調素子のアドレス電極24a、24bと連絡された少くとも1個のスタティックメモリセル32を有する。各メモリセル32はその各コラムのビット線を介してそのマイクロ機械動作を決定するデータを受信する。ローセレクト信号によりデータがそのローへ書込まれるかどうかが決定される。2値電圧源から各メモリセル32へ給電が行われ、一方の値はセルへの書込みに使用され他方の値は変調素子の作動に使用される。
請求項（抜粋）：
電気的にアドレス可能なマイクロ機械素子の空間光変調器アレイに使用するメモリ回路において、該回路は空間光変調器の各素子がアドレス電極を介して少くとも1つのメモリセルと連絡するスタティックメモリセルアレイと、前記各メモリセルと連絡され前記セルに書込みを行う少くとも第1の電圧値および前記空間光変調器の前記素子を作動させる少くとも第2の電圧値を供給する2値入力給電線と、前記入力給電線の電圧をローごとに変化させるレベルシフターと、前記各メモリセルと連絡されローセレクト信号の状態に従って前記メモリセルへデータを送出するアクセススイッチと、前記各アクセススイッチと連絡され前記メモリセルアレイの1列の全メモリセルに共通なデータビット線と、前記各アクセススイッチと連絡されているローセレクト信号線、により構成されるメモリ回路。
IPC (3件)：
G06F 15/64 320
, G02B 26/08
, G11C 13/04
