特許

J-GLOBAL ID：200903042808481251

静電誘導半導体装置

発明者： 白井 良史 ,  鈴村 正彦
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234345
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075143
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 チップ面積の増大や製造工程の困難性を招来することなく、ターンオフ時間の短縮化、ゲート駆動電力の低減化、オン特性の改善、および、主電流の容量増大が一挙に図れる実用性の高い静電誘導半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1一側の表面部分にソース領域6がカソード領域2とゲート領域4の間に挟まれる形で備え、半導体基板他側にアノード領域3を備え、前記カソード領域とアノード領域の間はベース領域5となり、前記カソード領域とソース領域の両方にコンタクトするカソード電極7が設けられており、前記カソード領域は、前記半導体基板の表面部分に溝10が形成され、この溝の内周面に不純物が導入されて形成されたものである静電誘導半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板一側の表面部分に、第1導電型のカソード領域と第1導電型のゲート領域と第2導電型のソース領域とをソース領域がカソード領域とゲート領域の間に挟まれる形で備え、半導体基板他側に、第1導電型のアノード領域を備え、前記カソード領域とアノード領域の間は第2導電型のベース領域となり、前記カソード領域とソース領域の両方にコンタクトするカソード電極が設けられている静電誘導半導体装置において、前記カソード領域は、前記半導体基板の表面部分に溝が形成され、この溝の内周面に不純物が導入されて形成されたものであることを特徴とする静電誘導半導体装置。