特許
J-GLOBAL ID：200903042808909855
半導体基板表面保護膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039144
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252130
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板表面保護膜の形成方法に係り、特に硫化膜の形成方法に関し、アルカリ金属や、このアルカリ金属を溶解するアセトンなどの溶媒に汚染されることなく、また形成される陽極硫化膜の絶縁抵抗を安定させ、空孔等が発生しないようにして陽極硫化膜を形成する方法の提供を目的とする。【構成】 水銀を含む2-6族化合物半導体基板の表面に硫黄を含む保護膜を形成する工程において、硫黄を含む気体をプラズマ化し、この気体の流量調整或いは不活性ガスとの混合により希釈して減圧状態にし、この化合物半導体基板に電圧を印加することなく、また接地もしないで電気的にフローティングにした状態で、この化合物半導体基板の表面にこの硫黄を含む保護膜を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
水銀を含む2-6族化合物半導体基板の表面に硫黄を含む保護膜を形成する工程において、硫黄を含む気体をプラズマ化し、該気体の流量調整或いは不活性ガスとの混合により希釈して減圧状態にし、前記化合物半導体基板に電圧を印加することなく、また接地もしないで電気的にフローティングにした状態で、前記化合物半導体基板の表面に前記硫黄を含む保護膜を形成することを特徴とする半導体基板表面保護膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/314
, H01L 21/31
, H01L 21/365
