特許

J-GLOBAL ID：200903042809852164

レジストパターン形成方法

発明者： 田中 稔彦 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045948
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252154
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】レジストを減光体としたホトマスクにおいては、レチクル合わせマークを検出できず、合わせができないという問題があった。【解決手段】単色光を使用した反射光検出系でレチクルマークを検出し、かつレチクルマーク検出用単色光の波長をλ、上記波長での上記感光性有機膜の屈折率をnとしたときに、レジスト減光体パターンの膜厚をλ/(8n)以上3λ/(8n)以下、あるいは9λ/(8n)以上11λ/(8n)以下、あるいは17λ/(8n)以上19λ/(8n)以下、あるいは25λ/(8n)以上27λ/(8n)以下とする。

請求項（抜粋）：

ホトマスクに形成されたマスクマークと被パターン形成基板であるウェハ上に形成されたウェハマークを検出してマスク合わせを行い、投影レンズを介して上記ホトマスク上の所望のパターンを上記ウェハ上に形成されたレジストに露光するレジストパターン形成方法において、マスクマークの検出方法が単色光を用いてマスクマークを照射し、上記マスクマークからの反射光を検出する方法であり、上記ホトマスクは透明基板と所望のパターンが形成された感光性有機物膜からなり、かつ上記マスクマーク検出用単色光の波長をλ、上記波長での上記感光性有機膜の屈折率をnとしたときに、上記感光性有機物膜の膜厚がλ/(8n)以上3λ/(8n)以下、あるいは9λ/(8n)以上11λ/(8n)以下、あるいは17λ/(8n)以上19λ/(8n)以下、あるいは25λ/(8n)以上27λ/(8n)以下であることを特徴としたレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (5件)：

G03F 1/08 G ,  G03F 1/08 N ,  H01L 21/30 525 C ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 525 F

Fターム (14件)：

2H095BC05 ,  2H095BC06 ,  2H095BE03 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CB17 ,  5F046EA14 ,  5F046EA26 ,  5F046EB02 ,  5F046ED03 ,  5F046FA03 ,  5F046FA10 ,  5F046FA20 ,  5F046FB08