特許
J-GLOBAL ID：200903042812609670
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257265
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102640
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 各種電子機器の構成に広く使用される薄膜多層化配線基板のパターン形成方法に関し、配線層に形成される配線パターンのサイドエッチングを少なくするとともに高抵抗層の発生も無くすことを目的とする。【構成】 絶縁基板1の表面に形成されたパネル金属膜2の上面に配線パターンの一部であるメッキパターン14を形成し、当該メッキパターン14と上記パネル金属膜2の全表面にCr層14-2を形成して、該メッキパターン14の上面と側面に形成した該Cr層14-2の表面のみにエッチングレジスト膜15を形成し、当該エッチングレジスト膜15より露出した上記パネル金属膜2をエッチングで除去することにより上記絶縁基板1の表面に配線パターン16を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板(1) の表面に形成されたパネル金属膜(2) の上面に配線パターンの一部であるメッキパターン(14)を形成し、当該メッキパターン(14)と上記パネル金属膜(2) の全表面にクローム層(14-2)を形成して、該メッキパターン(14)の上面と側面に形成した該クローム層(14-2)の表面のみにエッチングレジスト膜(15)を形成し、当該エッチングレジスト膜(15)より露出した上記パネル金属膜(2) をエッチングで除去することにより、上記絶縁基板(1) の表面に配線パターン(16)を形成してなることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
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