特許

J-GLOBAL ID：200903042815893239

高密度配線基板の製造方法

発明者： 三浦 和裕 ,  毛利 昇 ,  葉山 雅昭 ,  橋本 晃
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010879
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209611
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 配線電極間で起きるマイグレーションを抑えることの出来る高密度配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 焼成を行ったセラミック基板1上にITOのペースト状組成物2を所定のパターンで印刷を行い、前記形成されたペースト状組成物の厚膜上に、Ag-Ptを導体材料として含む少なくとも有機バインダ、溶剤からなるペースト状組成物3を、前記所定のパターンサイズよりも小さいサイズで印刷を行い、前記ペース状組成物の厚膜パターンの形成した基板を焼成している。これにより上部電極3がセラミック基板1に直に接していないため、下部に位置する電極膜2が上部電極3のイオン化による導体間の移動を抑えることが出来、その結果配線電極パターンのショートによる基板の不良を防ぐことが出来る。

請求項（抜粋）：

焼成を行った基板上にAu、もしくはRuO2、もしくはインジウム錫オキサイド(以下、ITOとする)のペースト状組成物を所定のパターンで印刷を行い、その形成されたペースト状組成物の厚膜上に、Ag、もしくはAg-Pd、もしくはAg-Pt、もしくはCuの粉体を導体材料として含む少なくとも有機バインダ、溶剤からなるペースト状組成物を、前記所定のパターンサイズよりも小さいサイズで印刷を行い、そのペース状組成物の厚膜パターンの形成した基板を焼成することを特徴とする高密度配線基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/24 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/12 610

FI (3件)：

H05K 3/24 Z ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/12 610 F