特許
J-GLOBAL ID:200903042819927219
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-082021
公開番号(公開出願番号):特開2003-280168
出願日: 2002年03月22日
公開日(公表日): 2003年10月02日
要約:
【要約】【課題】 高精度な転写パターンを転写することが可能なハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜5が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層4と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層3とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク1。
請求項(抜粋):
透明基板上に、露光光を透過させる光透過部と、露光光の一部を透過させると同時に透過した光の位相を所定量シフトさせるハーフトーン位相シフター部を有し、前記光透過部とハーフトーン位相シフター部の境界部近傍にて各々を透過した光が互いに打ち消し合うように光学特性を設計することで、被露光体表面に転写される露光パターン境界部のコントラストを良好に保持、改善できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクを製造するために用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであり、透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記ハーフトーン位相シフター膜が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (3件):
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 G
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
Fターム (6件):
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB16
, 2H095BB31
, 2H095BC05
, 2H095BC24
引用特許:
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