半導体集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-166042
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083494
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】待機モードにおいて、消費電流を極力低減することができ、動作モードに復旧した際、高速に所要の電圧を発生することが困難であった。【解決手段】第1、第2の降圧回路11、12は動作モード時に共に動作し、待機モード時に第1の降圧回路11のみが動作する。休止モード時、第1、第2の降圧回路11、12は共に停止され、休止回路13のみが動作する。休止回路13は出力ノードOUTを動作モードや待機モード時の電圧より若干低い電圧に充電する。

請求項（抜粋）：

少なくとも待機モード時に出力ノードを第1の電位に設定し、前記待機モード時より長い期間動作が停止される休止モード時に停止される第1の電位設定回路と、前記休止モード時に、前記出力ノードを前記第1の電位より若干低い第2の電位に充電する第2の電位設定回路とを具備することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

G11C 11/22 501 , G05F 1/56 310 , G11C 11/407 , G11C 16/06 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (7件)：

G11C 11/22 501 D , G05F 1/56 310 V , G11C 11/34 354 F , G11C 17/00 632 A , G11C 17/00 632 Z , H01L 27/04 G , H01L 27/04 F

Fターム (28件)：

5B025AD09 , 5B025AE05 , 5B025AE06 , 5F038BG03 , 5F038BG08 , 5F038DF08 , 5F038EZ20 , 5H430BB01 , 5H430BB05 , 5H430BB09 , 5H430BB11 , 5H430EE06 , 5H430EE09 , 5H430FF02 , 5H430GG05 , 5H430HH03 , 5H430KK16 , 5M024AA04 , 5M024BB29 , 5M024BB37 , 5M024FF02 , 5M024FF03 , 5M024HH09 , 5M024HH11 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP07

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