特許

J-GLOBAL ID：200903042822777759

半導体装置の製造方法

発明者： 齊藤 かすみ
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339200
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178093
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜の接続孔内を埋め込む状態で形成した導電材料膜のエッチバックに際し、接続孔内の導電材料膜に発生するプログラスの量を抑える。【解決手段】 まず基板1上の絶縁膜2に基板1に達する接続孔3を形成し、続いて絶縁膜2の上面を被覆しかつ接続孔3の内面を覆う密着層4を形成する。次いで密着層4の上面を被覆しかつ接続孔3内を密着層4を介して埋め込む状態で導電材料膜5を形成する。その後、第1エッチングによって、絶縁膜2の上面に形成された密着層4の上面近傍まで導電材料膜5を除去し、続いて第2エッチングによって、密着層4の上面が露出するまで導電材料膜5を除去する。この際、第2エッチングで用いるエッチングガスと密着層4の構成材料とが反応することにより生じる反応生成物が気体になる温度よりも低い温度に基板1を冷却しながら導電材料膜5の除去を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた絶縁膜に前記基板に達する接続孔を形成し、続いて前記絶縁膜の上面を被覆しかつ前記接続孔の内面を覆う密着層を形成する第1工程と、該密着層の上面を被覆しかつ前記接続孔内を前記密着層を介して埋め込む状態で導電材料膜を形成する第2工程と、第1エッチングによって、前記絶縁膜の上面に形成された密着層の上面近傍まで前記導電材料膜を除去する第3工程と、第2エッチングによって、前記密着層の上面が露出するまで前記導電材料膜を除去する第4工程とを有し、該第4工程では、前記第2エッチングで用いるエッチングガスと前記密着層の構成材料とが反応することにより生じる反応生成物が気体になる温度よりも低い温度に前記基板を冷却しながら前記導電材料膜の除去を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 L