特許

J-GLOBAL ID：200903042823174829

半導体素子の露光方法

発明者： 廣沢 達也 ,  大野 淳一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181401
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029176
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 ステッパー特性による被処理半導体素子の限界を打破して大型の半導体素子の露光を可能にする点。【構成】 複数個のガラスマスクを利用して、半導体素子に半導体素子パターンを転写し、これをつなぎ合わせることにより一つの機能を持った半導体素子を提供する。この際、つなぎ合わせ部分の合わせずれを制御するのに、つなぎ合わせ確認用のマークを設ける。

請求項（抜粋）：

半導体素子のパターンを露光する際に、被露光部分に対して前記被露光部分の一方を非露光状態として露光後、他方を非露光状態として露光することを特徴とする半導体素子の露光方法

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 M