特許
J-GLOBAL ID:200903042824328978
硫化物シェルを有するカルコゲン化亜鉛半導体超微粒子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-138102
公開番号(公開出願番号):特開2002-053319
出願日: 2001年05月09日
公開日(公表日): 2002年02月19日
要約:
【要約】【課題】 従来にない高い発光性と化学的安定性、及び有機媒質への優れた溶解性を有する半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 カルコゲン化亜鉛結晶コアと硫化物シェルから構成されるコア-シェル粒子であって、該粒子表面に有機配位子が結合されてなる半導体超微粒子。
請求項(抜粋):
カルコゲン化亜鉛結晶コアと硫化物シェルから構成されるコア-シェル粒子であって、該粒子表面に有機配位子が結合されてなる半導体超微粒子。
IPC (3件):
C01G 9/00
, H01L 29/06 601
, H01L 29/221
FI (3件):
C01G 9/00 Z
, H01L 29/06 601 D
, H01L 29/221
Fターム (4件):
4G047AA05
, 4G047AB02
, 4G047AC03
, 4G047AD03
前のページに戻る