特許
J-GLOBAL ID：200903042824714495
固体撮像装置及びこれを用いた撮像システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-180023
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026744
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 高感度化、高解像度化に好適な構造を有する固体撮像装置及びこれを用いた撮像システムを提供する。【解決手段】 電荷転送ゲート40、41の下の狭い半導体領域のみを隔てて、光電変換部51、52を並べて形成し、さらに、光電変換部52、51、50と電荷転送部20との間で電位の井戸の深さに段階的に格差を設ける。先ず、電荷読み出しゲート10を開いて光電変換部50の信号電荷を、次に、電荷読み出しゲート10及び40を開いて画光電変換部51の信号電荷を、最後に、電荷読み出しゲート10、40及び41を開いて光電変換部52の信号電荷を電荷転送部20へ読み出す。これにより、複数の光電変換部で単一の電荷転送部を共有する。
請求項（抜粋）：
所定間隔分隔離して配設され、電位の井戸を順次深く形成された第1、第2、第3の光電変換素子列と、前記第1、第2、第3の光電変換素子列に対応して上部に設けられた第1、第2、第3の色フィルタと、前記第3の光電変換素子列と所定間隔分隔離して平行に配設された電荷転送部列と、前記第1の光電変換素子列と前記第2の光電変換素子列の間の領域の上方に設けられた第1の移送ゲートと、前記第2の光電変換素子列と前記第3の光電変換素子列の間の領域の上方に設けられた第2の移送ゲートと、前記第3の光電変換素子列と前記電荷転送素子列の間の領域及び前記電荷転送部の上方に設けられた第3の移送ゲートを兼ねた転送ゲート電極と、前記第3の光電変換素子列に蓄積された信号電荷を第3の移送ゲートにより前記電荷転送部に移送して転送し、前記第2の光電変換素子列に蓄積された信号電荷を第2の移送ゲート及び第3の移送ゲートにより前記電荷転送部に移送して転送し、前記第1の光電変換素子列に蓄積された信号電荷を第1ないし第3の移送ゲートにより前記電荷転送部に移送して転送させる転送制御手段とを備えた2次元の固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H01L 27/14
, H04N 5/335
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
, H01L 27/14 D
