特許
J-GLOBAL ID：200903042824876720
光吸収層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥井 清
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002005730
公開番号（公開出願番号）：WO2003-005456
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2003年01月16日
要約：
スパッタ法によりIb-IIIb族金属によるプリカーサ薄膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収履を形成するに際して,対向ターゲット式スパッタリングによって、一対に設けられた異種ターゲット材料の各スパッタ粒子が混り合った状態でプリカーサ薄膜を形成することにより、また、化合物半導体による薄膜太陽電池における光吸収層を形成するに際して、Ib族系金属元素とIIIb族系金属元素とを同時に供給して単層による合金のプリカーサ薄膜を形成して、その形成されたプリカーサ薄膜をSeガスに曝してセレン化することにより、化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層を高品質にかつ高速処理によって形成する。
請求項（抜粋）：
スパッタ法によりIb-IIIb族金属によるプリカーサ薄膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を形成する方法であって、対向ターゲット式スパッタリングによって、一対に設けられた異種ターゲット材料の各スパッタ粒子が混り合った状態でプリカーサ薄膜を形成するようにした光吸収層の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 E
, H01L21/203 S
